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SLM2005E

200V低（dī）压驱（qū）动芯（xīn）片

样片申请

SLM2005E Datasheet

产（chǎn）品概述

产品特性

安规认证

典（diǎn）型应用图

产（chǎn）品概述（shù）

SLM2005E 是（shì）一款高压、高速（sù）的功（gōng）率MOSFET和IGBT驱动器（qì）。采用专有的高（gāo）压集成电路和锁存免疫的CMOS技术可提供（gòng）可靠的单芯片驱动方（fāng）案。逻（luó）辑输（shū）入电平与（yǔ）标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓（huǎn）冲级，以（yǐ）减小（xiǎo）驱动器交叉导通。浮动通道可用（yòng）于驱（qū）动高边（biān）配置的（de）N型沟道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压（yā）可高达200V。

产品特性

为自（zì）举操作设计的浮动通道

完全运（yùn）行时电压高达 200V

容许（xǔ）瞬间负（fù）电压（yā），不（bú）受 dV/dt 影响（xiǎng）

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输（shū）入（rù）兼容

驱（qū）动电流：1A/1.5A

防止（zhǐ）交叉导通逻辑

两通（tōng）道间匹配传（chuán）输（shū）延迟

输出信号与输入信号同相

通过（guò）无铅认（rèn）证