SLM2110是一款（kuǎn）高压、高速的功率MOSFET和（hé）IGBT驱动器，它提供独立（lì）的高边（biān）、低（dī）边输出驱（qū）动信（xìn）号。采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技（jì）术，提（tí）供可靠的单芯片驱（qū）动方（fāng）案。逻辑输入电平与标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼容，最低（dī）支持（chí）3.3V逻辑。输（shū）出驱动（dòng）器（qì）具（jù）有（yǒu）高脉冲电流缓冲级，以减小驱（qū）动器（qì）交叉导通。延时匹配很方便应用（yòng）于高频设（shè）备。浮动通道可用（yòng）于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高（gāo）达600V。
为（wéi）自举供电设（shè）计的浮（fú）动通道
全电压（yā）范围运（yùn）行达（dá）600V
允许瞬态（tài）负电压，不受dV/dt影响（xiǎng）
驱动电（diàn）源范围（wéi）从10V到20V
欠压闭锁
3.3V、5V和15V逻辑兼容
逻辑地和功（gōng）率地能承受±5V偏置
防止交叉导通（tōng）逻辑
输入有下拉电阻的COMS斯密特（tè）触发器
逐周期边缘触发的关闭逻（luó）辑
两通道间（jiān）匹配传输延时
输入输（shū）出同相
典型开通/关断延时：140ns/140ns
典型驱动电流：1A/1.6A
400 080 9938
